recent
أخبار ساخنة

طرق انحياز الترانزستور

طرق انحياز الترانزستور


توجد لدينا خمس طرق لانحياز الترانزستور وهي:

انحياز الترانزستور بمقاومة واحدة موصلة من مصدر الجهد V CC إلى القاعدة Base (دائرة Fixed Base Bias)
طرق انحياز الترانزستور
انحياز الترانزستور بمقاومة واحدة موصلة من مصدر الجهد V CC إلى القاعدة Base

يتم الحصول على الانحياز للترانزستور biasing عن طريق مقاومة واحدة موصلة من مصدر الجهد V CC حتى نضمن أن يكون الترانزستور في منطقة Active Region وعدم وصوله إلى منقطتي القطع Cut off والاشباع Saturation,وحتى يصل الترانزستور إلى منطقة Active Region لابد ان يكون الجهد عليه أكبر من 0.7 فولت ويمكننا تحيد قيمة المقاومة RB من خلال التالي:

<math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><msub><mi>R</mi><mi>B</mi></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>V</mi><mrow><mi>C</mi><mi>C</mi></mrow></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>-</mo><mo>&#xA0;</mo><mn>0</mn><mo>.</mo><mn>7</mn></mrow><msub><mi>I</mi><mi>B</mi></msub></mfrac><mspace linebreak="newline"/><msub><mi>I</mi><mi>B</mi></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>I</mi><mi>C</mi></msub><mi>&#x3B2;</mi></mfrac><mspace linebreak="newline"/><msub><mi>I</mi><mi>C</mi></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>=</mo><mo>&#xA0;</mo><mfrac><mrow><msub><mi>V</mi><mrow><mi>C</mi><mi>C</mi></mrow></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>-</mo><msub><mi>V</mi><mrow><mi>C</mi><mi>E</mi></mrow></msub></mrow><msub><mi>R</mi><mi>C</mi></msub></mfrac></math>

ولكن عيب هذه الدائرة أنه عندما يسخن الترانزستور تتغير قيمة البيتا للترانزستور مما يؤدي إلى تغير في قيمة I B بالزيادة والنقصان ممايؤثر على قيمة I C مما ينتج عنه تشوه في التكبير.

انحياز الترانزستور بمقاومة موصلة من المجمع Collector إلى القاعدة Base (دائرة Collector Feedback Bias)


طرق انحياز الترانزستور
انحياز الترانزستور بمقاومة موصلة من المجمع Collector إلى القاعدة Base

يتم الحصول على الانحياز للترانزستور biasing عن طريق مقاومة موصلة من المجمع Collector إلى القاعدة Base وسوف يمر التيار من المصدر V CC وهو I وينقسم إلى المقاومتين R C و RB ونحصل على التيارين I C و I B ,ونحاول جعل قيمة المقاومة RB عالية حتى يكون التيار I B قيمته منخفضة ومرور تيار I C ولكن يجب مراعاة ان تصل بنا قيمة هذه المقاومة قيمة V CE تساوي نصف V CC حتى نضمن عمل الترانزستور في منطقة Active Region,ويمكن الحصول على قيمة RB من خلال التالي:

<math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mi>I</mi><mo>&#xA0;</mo><mo>=</mo><mo>&#xA0;</mo><mfrac><mrow><msub><mi>V</mi><mrow><mi>C</mi><mi>C</mi></mrow></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>-</mo><msub><mi>V</mi><mrow><mi>C</mi><mi>E</mi></mrow></msub></mrow><msub><mi>R</mi><mi>C</mi></msub></mfrac><mspace linebreak="newline"/><msub><mi>R</mi><mi>B</mi></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>V</mi><mrow><mi>C</mi><mi>E</mi></mrow></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>-</mo><mo>&#xA0;</mo><mn>0</mn><mo>.</mo><mn>7</mn></mrow><msub><mi>I</mi><mi>B</mi></msub></mfrac><mspace linebreak="newline"/><msub><mi>I</mi><mi>B</mi></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>I</mi><mi>C</mi></msub><mi>&#x3B2;</mi></mfrac><mspace linebreak="newline"/></math>

تكمن فائدة وضع المقاومة موصلة بالمجمع Collector إلى القاعدة Baseهي أنه ولو زادت قيمة البيتا سوف تؤدي إلى زيادة قيمة I C ممايؤدي إلى زيادة الجهد حول المقاومة R C مماينتج عنه جهد أقل حول الترانزستور والجهد حول القاعدة يقل ممايؤدي إلى نقصان في تيار I B وعندها يقل التيار I C مرة أخرى ورجوع الترانزستور إلى حالته الأصلية أو مايطلق عليه Negative Feedback وهي تغذية عكسية.

انحياز الترانزستور بمقامتين RB1 و RB2 (دائرة Dual Feedback Bias)


طرق انحياز الترانزستور
انحياز الترانزستور بمقامتين RB1 و RB2

يتم الحصول على الانحياز للترانزستور biasing عن طريق مقاومة RB1 موصلة من المجمع Collector إلى القاعدة Base وتوصيل مقاومة أخرى RB2 إلى القاعدة بحيث تكون قيمتها 10 أضعاف قيمة I B وهذه المقاومة التي تمت زيادتها تعمل على زيادة استقرار نقطة التشغيل biasing وتحسن من عمل الترانزستور.

انحياز الترانزستور بثلاث مقاومات (دائرة Emitter Feedback Bias)


طرق انحياز الترانزستور
انحياز الترانزستور بثلاث مقاومات

يتم الحصول على الانحياز للترانزستور biasing عن طريق مقاومة RB1 موصلة من المجمع Collector إلى القاعدة Base وتوصيل مقاومة أخرى RB2 إلى القاعدة مع إضافة مقاومة أخرى R E موصلة بالمشع Emitter وتكون قيمة هذه المقاومة 10 % من قيمة V CC أو أقل,وتمت زيادة هذه المقاومة R E حتى عمل تغذية عكسية للترانزستور أو مايطلق عليه Negative Feedback فعند زيادة البيتا أو زيادة تيار I C لسبب ما فجاة سوف يزداد الجهد عند المقاومة R E مما ينتج عنه جهد أقل عند القاعدة مما يؤدي إلى نقصان تيار I B وم ثم نقصان تيار I C ورجوع الترانزستور إلى حالته الأصلية مرة أخرى .
ويمكن الحصول على الجهد عند القاعدة VB من خلال التالي:

<math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mi>I</mi><mo>&#xA0;</mo><mo>=</mo><mo>&#xA0;</mo><mfrac><mrow><msub><mi>V</mi><mrow><mi>C</mi><mi>C</mi></mrow></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>-</mo><msub><mi>V</mi><mrow><mi>C</mi><mi>E</mi></mrow></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>-</mo><msub><mi>V</mi><mrow><mi>R</mi><mi>E</mi></mrow></msub></mrow><msub><mi>R</mi><mi>C</mi></msub></mfrac><mspace linebreak="newline"/><msub><mi>V</mi><mi>B</mi></msub><mo>&#xA0;</mo><mo>=</mo><mn>0</mn><mo>.</mo><mn>7</mn><mo>+</mo><msub><mi>V</mi><mrow><mi>R</mi><mi>E</mi></mrow></msub><mspace linebreak="newline"/></math>


انحياز الترانزستور باستخدام دائرة مجزيء الجهد (دائرة Voltage Divider Bias)


طرق انحياز الترانزستور
انحياز الترانزستور باستخدام دائرة مجزيء الجهد

يتم استخدم مجزيء الجهد بمقاومتين RB1 و RB2 يتم التوصيل من مصدر الجهد إلى القاعدة Base وتكون مهمتهما الحفاظ على قيمة ال Bias لضمان بقاء الترانزستور في منطقة Active Region وهى الطريقة الأشهر في الاستخدام نظرا لسهولة حساب قيمها, ويتم توصيل مقاومة بالمشع Emitter R لضمان عدم سخونة الترانزستور .

دورة الالكترونيات العملية:طرق انحياز دوائر الترانزستور للتكبير



للذهاب إلى فهرس دروس دورة الالكترونيات العملية للمهندس وليد عيسي من هنا
google-playkhamsatmostaqltradent